国家知识产权局信息显示，北京中材人工晶体研究院有限公司申请一项名为“一种低吸收蓝宝石晶体生长方法”的专利，公开号CN121653817A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本发明公开一种低吸收蓝宝石晶体生长方法，该方法包括：采用高纯度原料并在洁净环境下预处理；在超高纯惰性气氛与受控的低扰动条件下进行熔体生长，精确控制固液界面形貌；晶体脱离熔体后，在生长腔内通入微量活性气体并配合短时热激励，诱导表面原子重构；最后通过分段冷却和表面钝化处理，获得低吸收、高平整度的蓝宝石晶体；本发明通过原位表面处理与精细工艺控制，显著降低了晶体表面粗糙度和光学吸收，适用于高精密光学及量子器件，有效避免了传统机械抛光带来的损伤与污染。

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